หน่วยความจำหรือ เมมโมรี
(Memory) เป็นอีกส่วนประกอบหนึ่งบนเมนบอร์ดที่มีความสำคัญและทำงานร่วมกับโปรเซสเซอร์อย่างใกล้ชิด
หน่วยความจำทำหน้าที่เก็บโปรแกรมและข้อมูลเป็นส่วนทีโปรเซสเซอร์เขียนและอ่านข้อมูล
หน่วยความจำได้รับการพัฒนามาจนเป็นที่นิยมใช้กันแพร่หลายในปัจจุบันคือ
หน่วยความจำที่ผลิตจากสารกึ่งตัวนำ
(Semiconductor memory) เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ทำให้หน่วยความจำชนิดนี้
มีราคาต่ำ เพราะสามารถสร้างเป็นไอซีชิ้นเดียวได้ หน่วยความจำที่ผลิตจากสารกึ่งตัวนำที่ใช้ในไมโครคอมพิวเตอร์
แบ่งออกเป็น 2 ประเภทที่สำคัญคือ หน่วยความจำแรมและรอม ซึ่งจะได้ศึกษาถึง
โครงสร้างภายในชิป โครงสร้างภายนอก ของหน่วยความจำและเทคนิคการแก้ไขความผิดพลาดของข้อมูล
รวมถึงเทคนิคการทำหน่วยความจำให้มีความเร็วใกล้เคียงกับซีพียู ได้แก่ หน่วยความจำแคช
สุดท้ายจะกล่าวถึงเทคโนโลยีหน่วยความจำแรมและการทำงานของหน่วยความจำแบบ
SDRAM DDR-SDRAM และ Rambus DRAM (RDRAM)
หน่วยความจำแรม และรอมที่ใช้ในปัจจุบันเป็นหน่วยจำประเภทสารกึ่งตัวนำ แรม สามารถอ่านและเขียนได้เรียกว่าเป็นพวก Volatile มี 2 ชนิด คือ SRAM เก็บสถานะทางลอจิกไว้ได้คงที่เป็นเวลานานขณะที่มีแรงดันไฟเลี้ยงอยู่ และ DRAM เป็นชนิดที่ต้องเติมประจุหรือรีเฟรชให้ตลอดเวลาเพื่อรักษาสถานะทางลอจิก ให้คงเดิม รอม สามารถอ่านได้อย่างเดียว เรียกว่าเป็นพวก Nonvolatile มีหลายชนิดได้แก่ PROM, EPROM, EEPROM สำหรับโครงสร้างภายนอกของหน่วยความจำจะบรรจุลงตัวถังในรูปของไอซี หรือเรียกว่า ชิปหน่วยความจำ เมื่อนำหลายชิปมาประกอบกันจะเป็นโมดูลแบบต่าง ได้แก่ SIMM, DIMM และ RIMM เป็นต้น เทคนิคการตรวจสอบ และแก้ไขความผิดพลาด จะใช้วิธีพาริตี้ มี 2 แบบ คือ พาริตี้คี่และพาริตี้คู่ สำหรับการแก้ไขข้อมูลที่ตรวจพบว่าผิดจะใช้รหัสพิเศษเพิ่มเข้าไปอีกจำนวนหนึ่ง หน่วยความจำประเภทนี้เรียกว่า ECC การทำ ECC อย่างง่าย คือวิธี แฮมมิ่งโค๊ด
หน่วยความจำแคช เป็นหน่วยความจำที่อยู่ระหว่างซีพียูกับหน่วยความจำหลัก ทำหน้าที่ดึงข้อมูลที่มีการเรียกใช้งานบ่อยๆ เข้ามาเก็บไว้ เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วในการทำงานสูงกว่าหน่วยความจำหลัก ซีพียูก็จะมองหาข้อมูลที่ต้องการที่หน่วยความจำแคชก่อนที่จะเข้าไปหาในหน่วยความจำหลัก SDRAM, DDR-SDRAM และ Rambus DRAM (RDRAM) เป็นเทคโนโลยีของหน่วยความจำ ที่พัฒนาขึ้นมารองรับเทคโนโลยีของซีพียูทางด้านความเร็ว
หน่วยความจำแรม และรอมที่ใช้ในปัจจุบันเป็นหน่วยจำประเภทสารกึ่งตัวนำ แรม สามารถอ่านและเขียนได้เรียกว่าเป็นพวก Volatile มี 2 ชนิด คือ SRAM เก็บสถานะทางลอจิกไว้ได้คงที่เป็นเวลานานขณะที่มีแรงดันไฟเลี้ยงอยู่ และ DRAM เป็นชนิดที่ต้องเติมประจุหรือรีเฟรชให้ตลอดเวลาเพื่อรักษาสถานะทางลอจิก ให้คงเดิม รอม สามารถอ่านได้อย่างเดียว เรียกว่าเป็นพวก Nonvolatile มีหลายชนิดได้แก่ PROM, EPROM, EEPROM สำหรับโครงสร้างภายนอกของหน่วยความจำจะบรรจุลงตัวถังในรูปของไอซี หรือเรียกว่า ชิปหน่วยความจำ เมื่อนำหลายชิปมาประกอบกันจะเป็นโมดูลแบบต่าง ได้แก่ SIMM, DIMM และ RIMM เป็นต้น เทคนิคการตรวจสอบ และแก้ไขความผิดพลาด จะใช้วิธีพาริตี้ มี 2 แบบ คือ พาริตี้คี่และพาริตี้คู่ สำหรับการแก้ไขข้อมูลที่ตรวจพบว่าผิดจะใช้รหัสพิเศษเพิ่มเข้าไปอีกจำนวนหนึ่ง หน่วยความจำประเภทนี้เรียกว่า ECC การทำ ECC อย่างง่าย คือวิธี แฮมมิ่งโค๊ด
หน่วยความจำแคช เป็นหน่วยความจำที่อยู่ระหว่างซีพียูกับหน่วยความจำหลัก ทำหน้าที่ดึงข้อมูลที่มีการเรียกใช้งานบ่อยๆ เข้ามาเก็บไว้ เป็นหน่วยความจำที่มีความเร็วในการทำงานสูงกว่าหน่วยความจำหลัก ซีพียูก็จะมองหาข้อมูลที่ต้องการที่หน่วยความจำแคชก่อนที่จะเข้าไปหาในหน่วยความจำหลัก SDRAM, DDR-SDRAM และ Rambus DRAM (RDRAM) เป็นเทคโนโลยีของหน่วยความจำ ที่พัฒนาขึ้นมารองรับเทคโนโลยีของซีพียูทางด้านความเร็ว
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น